Во время саммита Flash Memory основоположник американской компании NEO Semiconductor Энди Су поведал подробности о новейшей технологии флеш-памяти X-NAND. С ней скорость SSD может вырасти в три раза.
В первый раз разработка была представлена в 2018 году и только на данный момент обзавелась новенькими деталями. Такое повышение скорости получается из-за наиболее плотного расположения слоев. Система из 16 слоев по высоте занимает только 37% относительно 16 слоев памяти QLC.
Новенькая X-NAND обеспечит в три раза наиболее высшую скорость относительно QLC в операциях случайных записей и чтений, также в 27 раз огромную скорости при поочередном чтении. Разработка дозволяет работать с различным типом ячеек памяти сразу.
NEO Semiconductor стремится к тому, чтоб разработка была выгодной, резвой и обычный для внедрения в имеющиеся разработки.
Больше увлекательных статей на Shazoo
- Windows 10 станет предупреждать о уровне здоровья NVMe SSD
- Xbox Series X дозволит удалять части игр, чтоб высвободить пространство на SSD
- Карта расширения памяти на 1 ТБ для Xbox Series X/S вправду обойдется в $220
- Слух: Карта расширения памяти на 1 ТБ для Xbox Series X/S обойдется в $220
- Новейший SSD на 15 ТБ поместится даже в ноутбуке — всего за $3990
Видео от Shazoo
Подписаться
- Via:Tom’s Hardware
Источник: